低氣壓試驗(yàn)常用標(biāo)準(zhǔn)一覽

　　低氣壓試驗(yàn)參考標(biāo)準(zhǔn)：

　　1) G J B 150.2A一2009《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第二部分低氣壓( 高度) 試驗(yàn)》;

　　2) G J B 360B一2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》( 等效美軍標(biāo)M IL-STD一202F) ;

　　3) G J B 548B一2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)) 》標(biāo)M IL-STD一883D);

　　4) G B2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;

　　5) G B/T 2423，21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》;

　　6) G B/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法;

　　7)G B/T 2423、26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》;

　　8) G B2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM D 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》;

　　9) G B/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。

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